"掃描二維碼，關(guān)注協(xié)會動態(tài)"
在氧化物濺射工藝生產(chǎn)過程當(dāng)中，“氧化物模式”和“純金屬模式”之間的轉(zhuǎn)變和過渡原本是十分易變和不穩(wěn)定的。因此，保持磁電場放電量的穩(wěn)定性是生產(chǎn)高質(zhì)量光學(xué)膜層的關(guān)鍵所在。其中最主要的優(yōu)點是大大增強了雙陰極的濺射效率。通過氧分壓技術(shù)和三段供氣技術(shù)的配合使用，生產(chǎn)出的光學(xué)薄膜的均勻性、穩(wěn)定性更可以得到大大的提高。
目前，多種氧化物（如SnO、TiO等）被用于制造具有抗反射性的、保護性質(zhì)的膜層。在大規(guī)模的生產(chǎn)中，這些氧化物被用來制造具有金屬性能的、精密的復(fù)雜光學(xué)膜層。例如，“LOW-E”低輻射膜、陽光控制膜。
長久以來，大型的鍍膜設(shè)備，只能在“氧化物模式”下制造這些類型功能的膜層，但這種模式的濺射效率非常低‚ 且只能通過降低玻璃基片的速度，或是多加靶材平行濺射‚以彌補濺射效率不足的缺陷。而且靶材表面需要頻繁的金屬性“濺射清理”（即燒靶，用純氬氣濺射），這就意味著每次的生產(chǎn)過程都要被迫停止、延遲或拖后。
在“金屬模式”和“氧化物模式”之間的轉(zhuǎn)變過渡區(qū)內(nèi)，設(shè)備技術(shù)操作者們都想力求找到最佳控制點，促使工藝過程趨向于濺射狀態(tài)穩(wěn)定區(qū)域內(nèi)的控制點上。
在實際生產(chǎn)已知的理論中，當(dāng)靶材表面以金屬為主的時候，短時產(chǎn)的氧氣過量或促發(fā)性的能量下降，都會導(dǎo)致靶表面所覆蓋著的氧化物層的面積區(qū)域擴大。其結(jié)果是濺射效率降低，濺射出的活性金屬離子減少。而超額的氧氣量會不斷的增加，進一步促使靶材表面覆蓋著的氧化物區(qū)域擴大。這個循環(huán)過程會不斷的增強，持續(xù)進行，直到整個靶材都被一層氧化物所覆蓋為止。之后，氧化物會從已經(jīng)氧化了的靶材表面被沉積到速度緩慢運行的玻璃基片上，與些同時，以較高的濺射率從靶材表面濺射出的金屬將停止在基片上氧化。
當(dāng)與上述情況相反的變化時，也會發(fā)生類似的情況發(fā)生?？捎醚趸南陆祷蚴嵌虝r間的能量上調(diào)，也會導(dǎo)致靶材表面的金屬區(qū)域面積不斷擴大，自由金屬離子的增加。會消耗掉更多的氧化，使得玻璃基片表面生成一層氧化物膜層，金屬區(qū)域繼續(xù)不斷擴大。當(dāng)金屬面積在靶材表面占主導(dǎo)地位的時候，平衡狀態(tài)就會建立起來。為了能在高的沉積速率下制備化合物膜，就要設(shè)法使靶面長期保持處于接近金屬狀態(tài)的過渡模式。
2 氧分壓技術(shù)
控制過程狀態(tài)的另一方法是監(jiān)視氧氣部分壓力（即氧分壓）它可以直接表明靶材表面的狀態(tài)，并因此決定鍍膜速度和膜層的性能。此工藝參數(shù)可以使用靠近陰極旁的氣體測量裝置來完成。
氧分壓由提供給工藝過程的氧氣數(shù)量來決定，而自由的可氧化的金屬離子的數(shù)量則取決于能量的供應(yīng)，（電功率的供應(yīng)大小）生產(chǎn)過程中，我們給工藝過程提供充足的、穩(wěn)定的反應(yīng)氣體（氧化）。電功率則由轉(zhuǎn)換過濾器提供以確保氧氣數(shù)量和電功率相匹配。當(dāng)工藝過程處于正常進行當(dāng)中時，轉(zhuǎn)換過濾器被用來修正電功率的基本設(shè)置點。使電功率的設(shè)定值和氧分壓的測量值達到預(yù)期中的狀態(tài)。陰極內(nèi)氧氣探測點瞬間值的減少，則反應(yīng)出工藝室內(nèi)氧分壓的減少。這就會使轉(zhuǎn)換過濾器對電源發(fā)出指令，來修正電功率設(shè)定值，使其減小，促使生成過程中狀態(tài)的穩(wěn)定。
雖然氧分壓控制使陰極線內(nèi)氧氣的數(shù)量和功率的匹配操作起來變得相對容易，但是對于不規(guī)則的玻璃和不能整板面上片的玻璃,生產(chǎn)過程中會使氣體壓強不停的變化，并會使氧分壓探測點瞬間值的變化頻率加大，而經(jīng)過氧分壓控制的轉(zhuǎn)換過濾器的指令完成用時約為3s。這段時間不能很好的保證顏色的穩(wěn)定性。這時就需要提前改變電源控制模式，因為控制電源也可以使功率做出適當(dāng)?shù)淖兓夜β实淖兓瘜に囘^程的影響是即時的(大約為1s)。在平時的生產(chǎn)中，需要我們多積累經(jīng)驗，熟悉工藝過程，合理的選擇適當(dāng)?shù)目刂颇Ｊ健?/div>
3 勻稱性控制
鍍膜線在磁場狀態(tài)正常情況下，中間寬度在2m范圍內(nèi)。玻璃橫向顏色分布是均勻的，這就是說沉積膜層的厚度是均勻。但是，在陰極比較長的情況下，兩端約300mm范圍內(nèi)工藝過程會時常出現(xiàn)不均的現(xiàn)像。這是由于在中間部位，控制器將工藝維持在轉(zhuǎn)變區(qū)域內(nèi)所有希望達到的操作點?？墒窃趦啥?00mm范圍內(nèi)，由于陰極兩端沒有安裝氧氣探測器，所以兩端的狀態(tài)穩(wěn)定的向相同方向變化時，不會被工藝過程控制器所發(fā)現(xiàn)，氧氣也不會再經(jīng)過二次適當(dāng)?shù)姆峙?，這就可能會使兩端工藝過程偏移到金屬狀態(tài)或氧化狀態(tài)，如果不及時調(diào)整，這種變化會隨著時間的增加對顏色的影響越來越明顯。這也需要我們在調(diào)試時，提前對氧氣中的三段供氣甚至采用五段進行合理的人為分配，從而達到使產(chǎn)品顏色在與靶材平行方向顏色均勻一致。
4 中頻磁控濺射
直流反應(yīng)濺射可以使用導(dǎo)體及高摻雜半導(dǎo)體材料作為靶材,沉積介質(zhì)薄膜,有較高的濺射速率。但是反應(yīng)過程中,通常會出現(xiàn)陰極中毒、放電打弧問題,破壞了等離子體的穩(wěn)定性,使沉積速率發(fā)生變化,導(dǎo)致濺射過程難以控制,限制直流反應(yīng)濺射技術(shù)在介質(zhì)膜的應(yīng)用。近幾年來發(fā)展起來的中頻濺射技術(shù)可以在反應(yīng)濺射絕緣介質(zhì)薄膜的過程中,釋放靶表面積累的電荷、防止放電打弧的現(xiàn)象,并具有濺射速率快、沉積速率高等優(yōu)點。中頻交流濺射技術(shù)還應(yīng)用于孿生靶(Twins Mag)濺射系統(tǒng)中,中頻交流孿生靶濺射是將中頻交流電源的兩個輸出端,分別接到閉合磁場非平衡濺射雙靶的各自陰極上,因而在雙靶上分別獲得相位相反的交流電壓,一對磁控濺射靶則交替成為陰極和陽極。孿生靶濺射技術(shù)大大提高磁控濺射運行的穩(wěn)定性,可避免被毒化的靶面產(chǎn)生電荷積累,引起靶面電弧打火以及陽極消失的問題,濺射速率高,一般生產(chǎn)過程中，將電源頻率保持在40—80KHz之間，幾乎所有化合物的沉積均可以保持長期的穩(wěn)定，為化合物薄膜的工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。
格蘭特工程玻璃（中山）有限公司生產(chǎn)的LOW-E玻璃均采用的介質(zhì)膜均采用中頻交流電源濺射，生產(chǎn)工藝穩(wěn)定，采用先進的供氣技術(shù)，充分保證了產(chǎn)品的均勻性，功能層真材實料，充分地保證了產(chǎn)品的性能。
