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旋干機(jī)
適用對(duì)象：2"-8" Wafer 晶舟或晶籃；
主要用途：適用于藍(lán)寶石晶片、硅晶片、砷化鎵晶片、鍺晶片、碳化硅晶片、磷化銦晶片、掩模板、石英晶片等其它類似基料的高潔凈度薄型晶片、破片吹干；
主要用途：適用于藍(lán)寶石晶片、硅晶片、砷化鎵晶片、鍺晶片、碳化硅晶片、磷化銦晶片、掩模板、石英晶片等其它類似基料的高潔凈度薄型晶片、破片吹干；
控制模式：手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式；
設(shè)備特點(diǎn)：機(jī)臺(tái)封面采用聚丙烯磁白PP板材(厚度≧10mm) ；機(jī)臺(tái)視窗采用透明、抗靜電之聚氯乙烯PVC(厚度≧5mm) 腔體結(jié)構(gòu)采用表面凈化處理技術(shù)； 氮?dú)鉁囟瓤刂疲?nbsp;體積小，不占空間，可與濕法蝕刻清洗設(shè)備結(jié)合使用； 電器控制、機(jī)械結(jié)構(gòu)模組化； 晶片吹干時(shí)間≤10min（預(yù)估）
設(shè)備特點(diǎn)：機(jī)臺(tái)封面采用聚丙烯磁白PP板材(厚度≧10mm) ；機(jī)臺(tái)視窗采用透明、抗靜電之聚氯乙烯PVC(厚度≧5mm) 腔體結(jié)構(gòu)采用表面凈化處理技術(shù)； 氮?dú)鉁囟瓤刂疲?nbsp;體積小，不占空間，可與濕法蝕刻清洗設(shè)備結(jié)合使用； 電器控制、機(jī)械結(jié)構(gòu)模組化； 晶片吹干時(shí)間≤10min（預(yù)估）